【摘 要】
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本文叙述了一种L波段低噪声放大器。它由两级场效应晶体管放大器和一级微波双极晶体管放大器组成.其平顶带宽大于500MHz,(实际带宽大于1000MHz),增益为30dB,全频段等效噪声系
【机 构】
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陕西低温电子研究所,陕西低温电子研究所
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本文叙述了一种L波段低噪声放大器。它由两级场效应晶体管放大器和一级微波双极晶体管放大器组成.其平顶带宽大于500MHz,(实际带宽大于1000MHz),增益为30dB,全频段等效噪声系数为0.5～0.9dB,具有体积小,供电方便的特点。
This article describes a L-band LNA. It consists of a two-stage FET transistor amplifier and a microwave bipolar transistor amplifier with a flat top bandwidth greater than 500MHz, (actual bandwidth greater than 1000MHz), gain of 30dB, full-band equivalent noise figure of 0.5 ~ 0.9dB, with a volume Small, power convenient features.
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