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来源 :半导体技术 | 被引量 : [!--cite_num--]次 | 上传用户:[!--user--]
【摘 要】
:
借助二维数值模拟软件ATHENA和ATLAS,研究分析了一款耐压为700 V的外延型LDMOS管的工作特性.按其工作机制,提出了用一个MOST和两个JFET有源器件构建成可用于电路仿真的LDMOST
【作 者】
:
程东方
汪维勇
易志飞
沈伟星
【机 构】
:
上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室,上海,200072上海大学微电子研发中心,上海,200072;
【出 处】
:
半导体技术
【发表日期】
:
2010年6期
【关键词】
:
LDMOS
宏模型
准饱和效应
物理模型
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