纳米硅对掺铒氧化硅电致发光的增强作用

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：linkageldap

【摘要】

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用磁控溅射法在n+-Si衬底上淀积掺铒的富硅氧化硅(SiO2∶Si∶Er)薄膜,并制备了Au/SiO2∶Si∶Er/n+-Si发光二极管,观测到这种发光二极管的1.54μm电致发光强度是在掺铒二氧化

【作者】

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陈源冉广照戴伦袁放成秦国刚马振昌宗婉华吴正龙

【出处】

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红外与毫米波学报

【发表日期】

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2002年z1期

【关键词】

：

Er3+ 氧化硅纳米硅电致发光. Er3+ Si oxide Si nanocluster electroluminescence.

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用磁控溅射法在n+-Si衬底上淀积掺铒的富硅氧化硅(SiO2∶Si∶Er)薄膜,并制备了Au/SiO2∶Si∶Er/n+-Si发光二极管,观测到这种发光二极管的1.54μm电致发光强度是在掺铒二氧化硅薄膜上以同样方法制备的Au/SiO2∶Er/n+-Si发光二极管的8倍.在n+-Si衬底上淀积了纳米(SiO2∶Er/Si/SiO2∶Er)三明治结构,其硅层厚度以0.2 nm为间隔从1.0nm变化到4.0nm.在室温下观察到了Au/纳米(SiO2∶Er/Si/SiO2∶Er)/n+-Si发光二极管的电致发光

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