【摘 要】
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外延GaAs的载流子浓度和迁移率由于在AsCl_3-Ga-H_2的气流系统中AsCl_3的流量而发生变化。采用适当浓度的AsCl_3流量已获得高纯的外延层。当AsCl_3的流量为3.2×10~(-5)克分
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外延GaAs的载流子浓度和迁移率由于在AsCl_3-Ga-H_2的气流系统中AsCl_3的流量而发生变化。采用适当浓度的AsCl_3流量已获得高纯的外延层。当AsCl_3的流量为3.2×10~(-5)克分子/分钟和1.1×10~(-4)克分子/分钟时外延层的载流子浓度分别为2×10~(15)厘米~(-3)和2.5×10~(14)厘米~(-3)。
The carrier concentration and mobility of the epitaxial GaAs change due to the flow of AsCl 3 in the gas flow system of AsCl 3 -Ga-H 2. The use of appropriate concentrations of AsCl_3 flow has been obtained high purity epitaxial layer. The carrier concentration of the epitaxial layer is 2 × 10 ~ (15) cm ~ (-2) when AsCl_3 flow rate is 3.2 × 10 -5 mol / L and 1.1 × 10 -4 mol / -3) and 2.5 × 10 ~ (14) cm ~ (-3).
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