瑞萨利用氧化物半导体形成p型FET,为应用于CMOS开辟新路

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氧化物半导体将以高精细显示器的驱动晶体管为中心实现实用化。由于氧化物半导体具备可在低温下制备、性能高且透明的特点,因此有望广泛应用。不过,氧化物半导体存在难以形成p型晶体管的课题。实际上,作为氧化物半导体的典型代表已经实用化的In-Ga-Zn-O晶体管全都是n型。因此,需要由n型 The oxide semiconductor is put into practical use mainly as a drive transistor of a high-definition display. Oxide semiconductors are expected to be widely used due to their high performance and transparency at low temperatures. However, the oxide semiconductor has a problem that it is difficult to form a p-type transistor. Actually, In-Ga-Zn-O transistors that have been put into practical use as typical representatives of oxide semiconductors are all n-type. Therefore, the need for n-type
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