【摘 要】
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前言多层布线中所采用的绝缘介质有热生长的SiO_2、Si_3N_4、阳极氧化Al_2O_3等等。开始,我们用SiO_2-SiO_2做绝缘介质,但在制备过程中遇到较大的困难。后来,我们改用SiO_2-
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前言多层布线中所采用的绝缘介质有热生长的SiO_2、Si_3N_4、阳极氧化Al_2O_3等等。开始,我们用SiO_2-SiO_2做绝缘介质,但在制备过程中遇到较大的困难。后来,我们改用SiO_2-Al_2O3,并制出了多层布线的全加器组件。但这项工艺比较繁琐。在
Preface Multi-layer wiring used in the insulation medium with thermal growth of SiO_2, Si_3N_4, anodized Al_2O_3 and so on. In the beginning, we used SiO 2 -SiO 2 as the insulation medium, but we encountered greater difficulties in the preparation process. Later, we switched to SiO_2-Al_2O_3 and made a full adder assembly with multiple layers of wiring. But this process is more complicated. in
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