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电喷涂硅胶薄层底衬制备4πβ薄膜源

来源 :原子能科学技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xiaok131

【摘 要】

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<正> 引言为了制得高计数效率的4πβ薄膜源,除了尽量减小源斑上固体物质的含量外,还必须控制源斑上晶体粒子大小(一般小于1微米)并均匀地分布于源上。为此,洛温撒尔(G.C.Low

【作 者】

：

陈庆江 杨景霞 

【出 处】

：

原子能科学技术

【发表日期】

：

1980年01期

【关键词】

：

放射性 悬浮液 无水酒精 探测效率 

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<正> 引言为了制得高计数效率的4πβ薄膜源,除了尽量减小源斑上固体物质的含量外,还必须控制源斑上晶体粒子大小(一般小于1微米)并均匀地分布于源上。为此,洛温撒尔(G.C.Lowenthal)用电喷涂阴,阳离子交换树脂到金属化的VYNS薄膜上制成薄树脂底

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