【摘 要】
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This paper presents a new technique in the high dielectric constant composite oxide film preparation. On the basis of nano-compsite high dielectric constant alu
【出 处】
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Journal of Electronic Science and Technology of China
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This paper presents a new technique in the high dielectric constant composite oxide film preparation. On the basis of nano-compsite high dielectric constant aluminum oxide film growth technology, a new idea of adulterating Si oxide species into the aluminum composite film was proposed. As a result, the specific capacitance and withstanding voltage of the composite oxide film formed at the anodizing voltage of 20 V are enhanced, and the leakage current of the aluminum composite oxide film is reduced through incorporation of Si oxide spec ies.
This paper presents a new technique in the high dielectric constant composite oxide film preparation. On the basis of nano-compsite high dielectric constant aluminum oxide film growth technology, a new idea of adulterating Si oxide species into the aluminum composite film was proposed. As a result, the specific capacitance and withstanding voltage of the composite oxide film formed at the anodizing voltage of 20 V are enhanced, and the leakage current of the aluminum composite oxide film is reduced through incorporation of Si oxide spec.
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