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通过对铝阳极氧化膜I-V特性进行导电机理分析,比较不同R(O∶Al)及不同杂质含量氧化膜的I-V特性,发现不能形成受主、施主掺杂的杂质离子,对空间电荷限制电流作用没有贡献,而且会降低氧化膜的隧穿起始电压,增加额定工作电压下的漏电流.
高压铝阳极氧化膜的陷阱浓度与隧穿导电
【摘 要】
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通过对铝阳极氧化膜I-V特性进行导电机理分析,比较不同R(O∶Al)及不同杂质含量氧化膜的I-V特性,发现不能形成受主、施主掺杂的杂质离子,对空间电荷限制电流作用没有贡献,而且
【机 构】
：
西安交通大学,陕西,西安,710049
【出 处】
：
电子元件与材料
【发表日期】
：
1999年6期
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