【摘 要】
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采用高分辨率光电导谱观察到高纯区熔硅单晶中剩余硼受主从基态到各共振激发态的p_(1/2)系列跃迁谱线.考虑裂开P_(1/2)价带的非抛物线性,精确得到了硼杂质从基态到P_(1/2)价
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所红外物理开放研究实验室,中国科学院上海技术物理研究所红外物理开放研究实验室,中国科学院上海技术物理研究所红外物理开放研究实验室
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采用高分辨率光电导谱观察到高纯区熔硅单晶中剩余硼受主从基态到各共振激发态的p_(1/2)系列跃迁谱线.考虑裂开P_(1/2)价带的非抛物线性,精确得到了硼杂质从基态到P_(1/2)价带的电离能E_1~*(硼)=88.45±0.01meV,进而获得硅价带的自旋-轨道分裂为△_o=42.62±0.01meV.
The p_ (1/2) transitions of the remaining boron acceptors from the ground state to the resonant states in the high-purity fused-silicon single crystal were observed by high resolution photoconductive spectroscopy. Considering the split P_ (1/2) valence The ionization energy of the boron impurity from the ground state to the P_ (1/2) valence band E_1 ~ * (boron) = 88.45 ± 0.01meV is obtained accurately, and the spin-orbit splitting of the silicon valence band is obtained as △ _o = 42.62 ± 0.01 meV.
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