【摘 要】
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多量子阱红外探测器是一种新型的利用子带跃迁机制的探测器件,具有非常高的设计自由度.GaN/Al(Ga)N量子阱由于大的导带带阶,超快的电子驰豫时间,超宽的红外透明区域以及高的
【机 构】
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华中科技大学武汉光电国家研究中心,湖北武汉430074;中国科学院上海技术物理研究所,上海200083
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多量子阱红外探测器是一种新型的利用子带跃迁机制的探测器件,具有非常高的设计自由度.GaN/Al(Ga)N量子阱由于大的导带带阶,超快的电子驰豫时间,超宽的红外透明区域以及高的声子能量,使得其成为继GaAs量子阱红外探测器之后又一潜在的探测材料结构.文中详细综述了国内外关于GaN基量子阱红外子带吸收及其探测器件的研究进展.首先介绍了量子阱红外探测器的工作原理及其选择定则,接着从极性GaN基多量子阱、非极性或半极性GaN基多量子阱以及纳米线结构GaN基多量子阱三个方面回顾当前GaN基多量子阱红外吸收的一些重要研究进展,包括了从近红外到远红外甚至太赫兹波段范围的各种突破.最后回顾了GaN基多量子阱红外探测器件的研究进展,包括其光电响应特性和高频响应特性,并对其未来的发展进行总结和展望.
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