【摘 要】
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VVMOSFET是一种新型的场效应器件。它具有高输入阻抗、高电流增益、高开关速度、无二次击穿等一系列优点。国内外的工作已经表明:在高频大功率,特别是高速大电流的应用场合,V
【机 构】
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VVMOSFET是一种新型的场效应器件。它具有高输入阻抗、高电流增益、高开关速度、无二次击穿等一系列优点。国内外的工作已经表明:在高频大功率,特别是高速大电流的应用场合,VVMOSFET比双极型器件具有更大的优越性。 本文结合400MHz、2.5W 的VVMOS高频高速功率晶体管的研制工作,对V形槽的刻蚀技术和“栅穿”控制这两个关键工艺作探讨。
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