【摘 要】
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首次利用导纳谱技术研究了450℃处理后的CZ-Si.导纳谱、DLTS和霍耳测量的结果表明:热施主有四个施主能级,即 E_c-(330～280)meV、E_c- 120meV、E_c-52meV和E_c- 30 meV.同时证
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所
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首次利用导纳谱技术研究了450℃处理后的CZ-Si.导纳谱、DLTS和霍耳测量的结果表明:热施主有四个施主能级,即 E_c-(330～280)meV、E_c- 120meV、E_c-52meV和E_c- 30 meV.同时证明:Ⅲ族和Ⅴ族杂质对这些能级的影响不同.对Ⅲ族杂质增强热施主形成的效应和目前已报道的有关热施主能级的分歧进行了详细研究和讨论.本文指出,用一个统一微观模型说明热施主的各种性质似乎不妥,并对这四个施主能级可能的缺陷结构进行了简单探讨.
The results of admittance spectroscopy, DLTS and Hall measurements show that there are four donor levels for thermal donor, namely E_c- (330 ~ 280) meV, E_c - 120meV, E_c-52meV, and E_c-30 meV. It is also demonstrated that the influence of group III and group V impurities on these energy levels is different. The effect of Group III impurities on enhanced thermal donor formation and the currently reported thermal donor energy levels The disagreements have been studied and discussed in detail.This paper points out that it is not proper to use a unified microscopic model to describe the various properties of thermal donors and to simply discuss the possible defect structures of the four donor levels.
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