【摘 要】
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卤素灯已用于使SiO_2上淀积的多晶硅再结晶。已获得单晶。在再结晶膜中出现100～200微米宽的二次晶粒。我们提出采用透射电子显微镜对缺陷结构分析的结果。能够把缺陷分类如下:
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卤素灯已用于使SiO_2上淀积的多晶硅再结晶。已获得<100>单晶。在再结晶膜中出现100～200微米宽的二次晶粒。我们提出采用透射电子显微镜对缺陷结构分析的结果。能够把缺陷分类如下:初始二次晶粒边界是在相邻生长区之间,由于小角度晶向偏离所引起的失配位错。再次的二次晶粒边界与再结晶过程中存在的应力有关。我们发现了连续和不连续沉淀物。这些沉淀物是杂质分凝的结果。其中一些显示2—SiC的结构。
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