【摘 要】
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在超高真空条件下,GaAs衬底上淀积钨、硅多层夹层膜,用快速白光辐照形成单一化学相的W_5Si_3肖特基接触。其势垒高度好于0.7V。按Si/W=0.6淀积单层硅、钨膜,能观察到的硅化物
【机 构】
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北京师范大学低能核物理研究所,北京师范大学低能核物理研究所,北京师范大学低能核物理研究所,北京师范大学低能核物理研究所
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在超高真空条件下,GaAs衬底上淀积钨、硅多层夹层膜,用快速白光辐照形成单一化学相的W_5Si_3肖特基接触。其势垒高度好于0.7V。按Si/W=0.6淀积单层硅、钨膜,能观察到的硅化物相是WSi_2。文中还讨论了样品结构方式对钨硅化物生成相的影响。
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