【摘 要】
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前言半导体釉中氧化钡的含量影响釉料的熔融温度和导电性能,故需精确测定。氧化钡的测定方法有重量法、容量法、原子吸收光谱法和火焰分子发射法等。重量法手续冗长,费时费
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前言半导体釉中氧化钡的含量影响釉料的熔融温度和导电性能,故需精确测定。氧化钡的测定方法有重量法、容量法、原子吸收光谱法和火焰分子发射法等。重量法手续冗长,费时费工;容量法则干扰元素多,不易掩蔽;原子吸收光谱法(乙炔-空气)的灵敏度也不够高,故考虑用分子发射法测定,其中铁铝干扰可设法排除,镁不干扰测定,钾、钠、钙等元素含量少时也不干扰钡的测定。硫酸钡重量法和本法测得结果相比是一致的,有相当好的精密度,并可
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