【摘 要】
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分析了N沟道VDMOS器件的单粒子辐射损伤机理和损伤模式,讨论了VDMOS器件的单粒子辐射加固措施。使用锎源,对采取了加固措施的一款200V高压N沟道VDMOS器件进行单粒子效应试验
【机 构】
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中国电子科技集团公司第二十四研究所,模拟集成电路重点实验室,
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分析了N沟道VDMOS器件的单粒子辐射损伤机理和损伤模式,讨论了VDMOS器件的单粒子辐射加固措施。使用锎源,对采取了加固措施的一款200V高压N沟道VDMOS器件进行单粒子效应试验研究。对比分析了不同漏源电压和栅源电压以及不同真空度对VDMOS单粒子效应的影响,可为VDMOS器件的单粒子辐射加固、试验验证及应用提供参考。
The single-particle radiation damage mechanism and damage mode of N-channel VDMOS devices are analyzed. The single-particle radiation reinforcement measures of VDMOS devices are discussed. Using a single source, a single-shot effect experiment was performed on a 200V high-voltage N-channel VDMOS device that was hardened. The effects of different drain-source voltage, gate-source voltage and different degree of vacuum on the single-particle effect of VDMOS are compared and analyzed, which can provide a reference for the single-particle radiation enhancement, experimental verification and application of VDMOS devices.
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