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在边界迁移模型的基础上,用分离变量法推导出了忆阻器电流电压特性的解析公式,建立了一个可用于对忆阻器进行电路仿真的SPICE模型,对忆阻器中各个参数的影响进行了分析与比较.结果发现:减小角频率、增加开关电阻比或增加平均迁移率可以提高忆阻器在同一电流值下相应的电阻差值.
无源电子元件忆阻器的建模和参数分析
【摘 要】
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在边界迁移模型的基础上,用分离变量法推导出了忆阻器电流电压特性的解析公式,建立了一个可用于对忆阻器进行电路仿真的SPICE模型,对忆阻器中各个参数的影响进行了分析与比较
【机 构】
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江南大学电子工程系,江苏无锡,214122
【出 处】
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电子元件与材料
【发表日期】
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2014年8期
【基金项目】
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专用集成电路与系统国家重点实验室开放研究课题基金资助项目;
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