【摘 要】
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本文根据压电效应模型,详细研究了(100),(011)和(111)衬底上 GaAs MESFET栅的取向特性.通过合适的正交变换,求出了压电电荷密度.考虑到沟道-衬底界面的耗尽层,得到了阈值电压
【机 构】
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东南大学微电子中心,东南大学微电子中心,东南大学微电子中心 南京210018,南京210018,南京210018
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本文根据压电效应模型,详细研究了(100),(011)和(111)衬底上 GaAs MESFET栅的取向特性.通过合适的正交变换,求出了压电电荷密度.考虑到沟道-衬底界面的耗尽层,得到了阈值电压随栅取向变化的解析表达式.结果与两维数值分析基本一致.
In this paper, the orientation characteristics of GaAs MESFET grids on (100), (011) and (111) substrates are investigated in detail based on the piezoelectric effect model. The piezoelectric charge density is obtained by suitable orthogonal transformation. - Depletion layer at the interface of the substrate, the analytic expression of the threshold voltage changing with the gate orientation is obtained. The results are in good agreement with the two-dimensional numerical analysis.
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