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利用管式PECVD工艺，通过调整气体流量比，得到减反射性能较佳的双层SiMx：H膜电池片，再对电池片封装成的光伏组件进行96h、300h的PID实验，得出较佳的抗PID工艺。实验结果表明，当折射率〈2．05时，电池片的抗PID效果较差，当折射率〉2．16时，抗PID效果显著；即减反射层工艺为达到较高的光电转化效率并同时满足抗PID效果，控制SiNx膜电池片的折射率为2．16±0．02：即淀积1的较佳流量比NH3／SiH4为4．83，淀积2的较佳流量比NH3／SiH4为13．33，在此配比下电池片