【摘 要】
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飞兆半导体公司推出四款30V、N沟道Power Trench~R MOSFET—FDD044AN03L、FDU044AN03L、FDD068AN03L和FDU068AN03L,它们采用小尺寸封装,效率和耐用性高,可满足最具挑战性和
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飞兆半导体公司推出四款30V、N沟道Power Trench~R MOSFET—FDD044AN03L、FDU044AN03L、FDD068AN03L和FDU068AN03L,它们采用小尺寸封装,效率和耐用性高,可满足最具挑战性和讲究空间应用的汽车应用要求。新器件备有D—PAK和I—PAK两种封装,适用于表面安装或通孔安装设计。
Fairchild Semiconductor Introduces Four 30V, N-Channel Power Trench ~ R MOSFETs - FDD044AN03L, FDU044AN03L, FDD068AN03L, and FDU068AN03L, Available in Small Form Factor Package for High Efficiency and Durability for Automotive in the Most Challenging and Space-Efficient Applications Application requirements. The new device is available in both D-PAK and I-PAK packages for surface mount or through-hole mounting designs.
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