长波长光纤通讯用的InGaAs/InP PIN光电二极管

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jk305
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由于石英光纤在λ=1.0~1.7μm范围有低损耗和低色散的优点,因此长波长光通讯技术是近年来发展较快的领域.InGaAs/InP PIN光电二极管的研制成功,克服了Ge光电二极管的暗电流大和温度特性差的缺点,为光通讯的长中继传输和多重波长传输技术提供了一个质量良好的关键器件. Because of the advantages of low loss and low chromatic dispersion in the range of λ = 1.0 ~ 1.7μm, long wavelength optical communication technology has developed rapidly in recent years. The successful development of InGaAs / InP PIN photodiodes overcomes the disadvantages of Ge photodiodes Dark current and poor temperature characteristics of the shortcomings of optical communications for the long relay transmission and multiple wavelength transmission technology provides a key component of good quality.
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