GaAs单片集成电路超宽带低噪声放大器

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一、序言 GaAsFET作为有低噪声、高增益特征的微波放大器,正在不断地开展着研究,现在已处在实用化阶段。最近几年,使其更加发展的GaAs单片集成电路化的工作日趋活跃。 GaAs集成电路(简称IC)首先从千兆赫分频器等高速逻辑着手,但最近几年正在向除此之外的模拟IC范围扩大。考虑到模拟IC中的宽带放大器在各种无线电设备前端等的 I. Preface As a microwave amplifier with low noise and high gain characteristics, GaAsFET is continuously carrying out research and is now in practical use. In recent years, more and more GaAs monolithic integrated circuits become more and more active. GaAs integrated circuits (ICs) first started with high-speed logic such as gigahertz dividers, but in recent years are expanding to other analog IC range. Consider the wideband amplifiers in analog ICs and the like on the front end of various radios
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