【摘 要】
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本文报导用PECVD法成功地在GaAs和InP晶片上制作了Si_3N_4膜。文中给出了不同射频功率、淀积温度及Si/N比条件下所得到的淀积速率、薄膜折射率及腐蚀速率等主要实验数据。首
【机 构】
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重庆光电技术研究所,重庆光电技术研究所
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本文报导用PECVD法成功地在GaAs和InP晶片上制作了Si_3N_4膜。文中给出了不同射频功率、淀积温度及Si/N比条件下所得到的淀积速率、薄膜折射率及腐蚀速率等主要实验数据。首次报导直接利用椭圆偏振光测厚仪测量GaAs和InP衬底上所淀积的Si_3N_4膜,同时用红外透射光谱分析了Si_3N_4膜。
This paper reports the successful fabrication of Si_3N_4 films on GaAs and InP wafers by PECVD. The main experimental data of deposition rate, refractive index and corrosion rate of films obtained under different RF power, deposition temperature and Si / N ratio are given. For the first time, the Si_3N_4 films deposited on GaAs and InP substrates were directly measured by ellipsometry, and the Si_3N_4 films were analyzed by infrared transmission spectroscopy.
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