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【摘 要】
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We have investigated the 20 nm p-type double gate junctionless tunnel field effect transistor(PDGJLTFET) and the impact of variation of different device paramet
【机 构】
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Department of Electrical Engineering,Indian Institute of Technology Kanpur,Microelectronics Research
【出 处】
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Journal of Semiconductors
【发表日期】
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2014年01期
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