【摘 要】
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通过半导体激光器两端的放大自发荧光辐射可以获取器件的光学增益信息.本文利用这一新的增益实验测量方法,开展了对连续运行的808 nm GaAs/AlGaAs量子阱激光器横向电场(TE)与
【机 构】
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北京航空航天大学应用物理系,发光学与应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,
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通过半导体激光器两端的放大自发荧光辐射可以获取器件的光学增益信息.本文利用这一新的增益实验测量方法,开展了对连续运行的808 nm GaAs/AlGaAs量子阱激光器横向电场(TE)与磁场(TM)偏振增益特性的实验研究.通过将实验结果与理论增益曲线对比,分析了非应变GaAs量子阱TE和TM极化偏振对应的空穴子能带随注入电流的变化规律,以及激光器在连续运行状态下的实际增益状态和影响因素.
The optical gain information of the device can be obtained by amplifying autofluorescence radiation at both ends of the semiconductor laser.In this paper, we use this new gain experiment measurement method to measure the transverse electric field (TE) and the magnetic field of the 808 nm GaAs / AlGaAs quantum well laser TM Experimental Study of Polarization Gain Characteristics The experimental results are compared with the theoretical gain curve to analyze the variation law of hole sub-band corresponding to TE and TM polarization polarization of unstrained GaAs quantum wells with the injection current, State of the actual state of gain and influencing factors.
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