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采用传统氧化物陶瓷工艺制备NiZn铁氧体靶材,用磁控溅射法在Si(100),Si02/Si,S102基片上生成NiZn铁氧体薄膜,并进行XRD,SEM,AFM,VSM等分析,研究不同退火温度和厚度对薄膜显微结构和性能的影响.
射频磁控溅射法制备NiZn铁氧体薄膜及其性能研究
【摘 要】
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采用传统氧化物陶瓷工艺制备NiZn铁氧体靶材,用磁控溅射法在Si(100),Si02/Si,S102基片上生成NiZn铁氧体薄膜,并进行XRD,SEM,AFM,VSM等分析,研究不同退火温度和厚度对薄膜显微
【机 构】
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电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川·成都,610054
【出 处】
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科协论坛（下半月）
【发表日期】
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2009年5期
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