【摘 要】
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在100mm氧化硅片上淀积一层多晶硅薄膜,这层多晶硅采用聚光卤灯再结晶法制成,并作为制作CMOS电路的衬底材料。得到N沟MOS晶体管和P沟MOS晶体管的载流子迁移率分别为480cm~2/V
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在100mm氧化硅片上淀积一层多晶硅薄膜,这层多晶硅采用聚光卤灯再结晶法制成,并作为制作CMOS电路的衬底材料。得到N沟MOS晶体管和P沟MOS晶体管的载流子迁移率分别为480cm~2/V.s和180cm~2/V.s,阈值电压分散性很小,还制作了65级环形振荡器,在电源电压5V时,其每级延迟时间为6ns。
A layer of polycrystalline silicon film is deposited on a 100mm silicon oxide wafer, which is made by recrystallization of spotlight and used as a substrate material for fabricating a CMOS circuit. The carrier mobility of the N-channel MOS transistor and the P-channel MOS transistor is respectively 480cm 2 / Vs and 180cm 2 / Vs, the threshold voltage dispersion is very small, and a 65-ring oscillator is also produced. At a power supply voltage of 5V When each level of delay time 6ns.
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