【摘 要】
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在CMOS逻辑门电路单级结构的设计中,要保证一定的开关速度,随着负载能力的,因而就失使扇动能力的增加中为了电路的行谓三极结构,并已形成产品系列。从逻辑上来说,是否缓部是
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在CMOS逻辑门电路单级结构的设计中,要保证一定的开关速度,随着负载能力的,因而就失使扇动能力的增加中为了电路的行谓三极结构,并已形成产品系列。从逻辑上来说,是否缓部是完全一样的,但有缓部的门电路,改善了电路的性能。 为了说明有缓部器门电路的性能,我们粗略地估计一下,图1所示的三种结构的电路开关速度扇动系数加的变化情况。
In the design of CMOS logic gate single-level structure, to ensure a certain switching speed, with the load capacity, thus losing the fan ability to increase the circuit for the tripod three-pole structure, and has formed a product line. Logically speaking, whether the buffer is exactly the same, but a slow gate, improve the performance of the circuit. In order to illustrate the performance of the buffer gate circuit, we roughly estimate the change of the fan speed coefficient of the circuit switching speed of the three structures shown in FIG. 1.
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