【摘 要】
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在18～300K 度范围内测量了 GaAs/AlGaAs 超晶格和 Ge_xSi_(1-x)/Si 应变层超晶格在不同温度下的光伏谱。在200K 以下,在 GaAs/AlGaAs 超晶格中观测到6个子带间光跃迁激子峰;在
【机 构】
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厦门大学物理系,厦门大学物理系 厦门 361005,厦门 361005
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在18～300K 度范围内测量了 GaAs/AlGaAs 超晶格和 Ge_xSi_(1-x)/Si 应变层超晶格在不同温度下的光伏谱。在200K 以下,在 GaAs/AlGaAs 超晶格中观测到6个子带间光跃迁激子峰;在100K 以下,GaAs/AlGaAs 的光伏谱反映了超晶格台阶状态密度分布。在 Ge_xSi_1-x/Si 应变层超晶格中,观测到子带和连续带间的光跃迁。并对两类超晶格的光伏特性进行了比较分析。
The photovoltaic spectra of GaAs / AlGaAs superlattice and Ge_xSi_ (1-x) / Si strained superlattice at different temperatures were measured in the range of 18 ~ 300K. Below 200K, six transitional excitonic peaks were observed in the GaAs / AlGaAs superlattice. Below 100K, the photoluminescence spectra of GaAs / AlGaAs reflect the state transition of the superlattice. In Ge_xSi_1-x / Si strained layer superlattices, the optical transition between subbands and continuous bands was observed. The photovoltaic characteristics of two kinds of superlattices were compared and analyzed.
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