光跃迁相关论文
硒化铟（InSe）材料是一种新兴二维半导体材料,其具有二维材料中最高的载流子迁率之一、可广泛调节的带隙值、良好的延展性等优良性质,......
研究了Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金半导体中无声子参与光跃迁的产生机制，对由杂质无规分布引起的无声子参与光跃迁给出了一个物理模型。用此模型计算了光跃......
以碳酸氢铵为沉淀剂,采用共沉淀法制备了Er,Yb:(La Gd)2O3纳米粉体。经1 000℃煅烧2 h得到的粉体颗粒呈规则球形,平均粒径约为90 n......
综合考虑纳米硅结构薄膜的特殊性质,如量子限制效应、光学带隙和光跃迁振子强度对纳米硅粒径尺寸的依赖特性以及光吸收的温度依赖......
