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目前主流的异质集成技术有单片异质外延生长、外延层转移和小芯片微米级组装.硅基异质集成主要是指以硅材料为衬底集成异质材料(器件)所形成的集成电路技术.它首先在军用微电子研究中得到重视,并逐渐在民用领域扩展.硅基异质集成技术正处于芯片级集成向晶体管级集成的发展初期,已有关于晶体管级和亚晶体管级集成的报道.本文重点研究了单片三维集成电路(3D SoC)、太赫兹SiGe HBT器件、超高速光互连封装级系统(SiP)、单片集成电磁微系统等硅基异质集成技术前沿,展现了硅基异质集成技术的发展趋势,及其在军用和民用通信、智能传感技术发展中所具有的重要意义.