【摘 要】
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与其它量子结构激光器相比,半导体量子点(QD)激光器的增益更高、阈值电流密度更小、热稳定性更高,原因是QD体系具有类原子态密度。尤其在生长高晶格失配异质外延体系如In(Ga)
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与其它量子结构激光器相比,半导体量子点(QD)激光器的增益更高、阈值电流密度更小、热稳定性更高,原因是QD体系具有类原子态密度。尤其在生长高晶格失配异质外延体系如In(Ga)As/GaAs和In(Ga)As/InP过程中所形成的自组织半导体QD更是一种最富希望的用于制作光器件的侯选者,而且?
Semiconductor quantum dot (QD) lasers have higher gain, smaller threshold current density, and higher thermal stability than other quantum-structured lasers because QD systems have quasi-atomic-state density. In particular, self-organized semiconductors QD formed during the growth of high lattice mismatched heteroepitaxial epitaxial systems such as In (Ga) As / GaAs and In (Ga) As / InP are also one of the most promising materials for fabrication of optical devices Candidate, and?
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