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【摘 要】
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本文介绍了一种专用于红外器件ZnS/CdTe双层钝化膜工艺的群集式磁控溅射设备。通过正交实验探索不同靶基距、靶偏心距对薄膜均匀性的影响,结果表明在靶基距为100 mm~160 mm、偏心距为160 mm~190 mm时,所沉积的ZnS薄膜均匀性优于5%,满足红外器件钝化膜层制备工艺需求。
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十八研究所
【出 处】
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中国集成电路
【发表日期】
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2021年10期
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