【摘 要】
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本文用ＩＢＡＤ──ＰＶＤ复合方法在单晶硅上制备了Ｃｒ／Ｎｉ复合金属化层，研究了沉积工艺条件及退火对薄膜的界面结合强度和电阻率的影响，获得了界面结合强度高、电阻率低、抗热震性能好的Ｃｒ／Ｎｉ复合金属化
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本文用ＩＢＡＤ──ＰＶＤ复合方法在单晶硅上制备了Ｃｒ／Ｎｉ复合金属化层，研究了沉积工艺条件及退火对薄膜的界面结合强度和电阻率的影响，获得了界面结合强度高、电阻率低、抗热震性能好的Ｃｒ／Ｎｉ复合金属化膜，界面结合强度可达３１ＭＰａ。
In this paper, Cr / Ni composite metallization was prepared on single crystal silicon by IBAD-PVD method. The effects of deposition conditions and annealing on interface bonding strength and resistivity of the film were studied. The interface bonding strength, Low rate, good thermal shock resistance of Cr / Ni composite metallized film, the interface bonding strength up to 31MPa.
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