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【摘 要】
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用PECVD技术制备了不同掺磷比的非晶硅薄膜,然后退火改性.红外透射光谱揭示了薄膜内部的键合模式随生长工艺条件变化的规律;测量和分析了非晶硅红外热吸收及电阻温度系数与薄
【机 构】
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中国计量学院光学与电子科技分院,中国科学院微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室,
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2008年11期
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