【摘 要】
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Amorphous silicon dioxide (a-SiO_2) films with about 410 nm in thickness were prepared on a Si (100) slab by wet oxidation at 1 050℃. These films were firstly
【出 处】
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IMP & HIRFL Annual Report
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Amorphous silicon dioxide (a-SiO_2) films with about 410 nm in thickness were prepared on a Si (100) slab by wet oxidation at 1 050℃. These films were firstly implanted at room temperature (RT) with 100 keV C-ions to 5.0×10~(17) C-ions/cm~2 and then irradiated at RT with 853 MeV Pb or 308 MeV Xe ions. The
Amorphous silicon dioxide (a-SiO 2) films with about 410 nm in thickness were prepared on a Si (100) slab by wet oxidation at 1 050 ° C. These films were initially implanted at room temperature (RT) with 100 keV C-ions to 5.0 × 10 ~ (17) C-ions / cm ~ 2 and then irradiated at RT with 853 MeV Pb or 308 MeV Xe ions.
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