硅外延技术的进展

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过去十年来,集成电路发展很快。硅片尺寸从1.5吋坛大到4吋,集成度从每片1000个元件坛加到10万个元件,条宽从10μ减到2μ,成本从每个晶体管5美分降到1/20美分。总之集成电路向着高集成度、高密度、高速度、低功耗发展,工艺技术向低成本、高置信度、便于生产及高成品率方向发展。 Over the past decade, integrated circuits have developed rapidly. Wafer sizes range from 1.5 “to 4”, with integration ranging from 1000 elements per wafer to 100,000 elements, with strip widths reduced from 10μ to 2μ and cost reduced from 5 cents to 1/20 per transistor Minute. In short, integrated circuits toward high integration, high density, high speed, low power consumption, process technology to low cost, high confidence, ease of production and high yield of the direction.
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