【摘 要】
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采用离子注入受主杂质Be和Mg的方法已经制作出,InSb平面P—N结光电二极管。两种离子的掺杂效率均约50%,两种掺杂法都能制出优异的光电二极管。77°K时,直径20密耳的二极管,其
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采用离子注入受主杂质Be和Mg的方法已经制作出,InSb平面P—N结光电二极管。两种离子的掺杂效率均约50%,两种掺杂法都能制出优异的光电二极管。77°K时,直径20密耳的二极管,其零偏压阻抗的典型值为6兆欧,峰值波长5.3μm处的量子效率达60—70%;77°K背景的探测率是2×10~(12)cmHz~(1/2)(H_z)W。用场极保护环来调节二极管周界线的表面势,使之达到最佳性能。
The method of implanting acceptor Be and Mg ions by ion implantation has been fabricated, with InSb planar P-N junction photodiodes. The doping efficiency of both ions is about 50%, both doping methods can produce excellent photodiode. The diode with 20 mils of diameter has a typical zero-bias impedance of 6 megohms at 77 ° K and a quantum efficiency of 60-70% at a peak wavelength of 5.3 μm; the detection rate for a 77 ° K background is 2 × 10 ~ (12) cmHz ~ (1/2) (H_z) W. Use the field guard ring to adjust the surface potential of the diode perimeter line to achieve the best performance.
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