【摘 要】
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Ⅳ-Ⅵ族碲化锡化合物是直接带隙半导体材料,在室温和大气压条件下具有稳定存在的面心立方结构.作为拓扑晶体绝缘体,碲化锡具有高度对称的晶型结构、螺旋形的多重表面态和强健
【机 构】
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北京理工大学光电学院信息光子技术工信部重点实验室,北京100081;昆明物理研究所,云南昆明650223;云南省先进光电材料与器件重点实验室,云南昆明650223
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Ⅳ-Ⅵ族碲化锡化合物是直接带隙半导体材料,在室温和大气压条件下具有稳定存在的面心立方结构.作为拓扑晶体绝缘体,碲化锡具有高度对称的晶型结构、螺旋形的多重表面态和强健的拓扑保护特性、无带隙的拓扑表面态和窄带隙体态、室温下高的迁移率等优异性能,在制备无能耗、宽谱(从紫外光、可见光到红外光)、超快响应的新型光电探测器领域有巨大潜力.文中从适宜应用于光电探测器件的角度出发,对碲化锡材料的制备方法、晶体结构、性质进行了阐述,对近年来碲化锡在红外光电探测领域的研究进展进行了总结,展望了其在光电探测领域的发展前景,并提出了碲化锡作为光电器件亟需深入研究的几个方面.
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