【摘 要】
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美帝奥托奈蒂克斯公司用硅-兰宝石(SOS)结构制成含有5120个二极管的高速阵列,这是一个由40行×128列二极管构成的唯读存贮器。这种组件可在20兆赫下工作,目前市场上速度最快
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美帝奥托奈蒂克斯公司用硅-兰宝石(SOS)结构制成含有5120个二极管的高速阵列,这是一个由40行×128列二极管构成的唯读存贮器。这种组件可在20兆赫下工作,目前市场上速度最快的 MOS 唯读存贮元件的工作频率范围为3~4兆赫。典型的循环时间为50毫微秒(最小值为30毫微秒),存取时间达20毫微秒。有人曾制成肖特基势垒双极唯读存贮
The US-based Otto-Nixx makes a high-speed array of 5120 diodes in a silicon-sapphire (SOS) structure, a read-only memory consisting of 40 rows by 128 columns of diodes. The module operates at 20 MHz, and the fastest operating MOS read-only memory device on the market today operates from 3 to 4 MHz. Typical cycle times are 50 nanoseconds (minimum 30 nanoseconds) and access times are 20 nanoseconds. Schottky barrier bipolar read-only memories have been made
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