【摘 要】
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采用表面光电压谱和光致荧光激发谱对多孔硅的能带结构和跃迁特性进行了系统研究。结果表明，多孔硅的带隙明显大于单晶硅的带隙，在３００～５００ｎｍ区间观察到几个与制备条件有关的精细结构带，此
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采用表面光电压谱和光致荧光激发谱对多孔硅的能带结构和跃迁特性进行了系统研究。结果表明，多孔硅的带隙明显大于单晶硅的带隙，在３００～５００ｎｍ区间观察到几个与制备条件有关的精细结构带，此构带为多孔硅中不同尺寸的硅线能级。这一发现恰与理论计算结果一致，从实验上支持了多孔硅的量子限域模型。
The band structure and transition characteristics of porous silicon have been systematically investigated by surface photovoltage spectroscopy and photoluminescence excitation spectroscopy. The results show that the band gap of porous silicon is obviously larger than that of monocrystalline silicon. Several fine structure bands related to the preparation conditions are observed in the range of 300-500 nm. The band structure is of different sizes in porous silicon. This finding is consistent with the theoretical calculation results, experimental support for the porous silicon quantum confinement model.
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