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【摘 要】
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基于应变硅以及绝缘体上超薄应变硅(SSOI)工艺,使用氢氟酸、硝酸和醋酸的混合溶液与质量分数为25%的四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液选择性腐蚀Si1-xGex与Si以制备绝缘体上超薄应变
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2013年01期
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