【摘 要】
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本文研究了在碳氟化合物气体中SiO_2和Si的磁控管等离子体腐蚀。这种等离子体具有很高的离化程度,无碰撞密度,低能离子流量(在1W/cm~2的情况下I～1.0mA/cm~2,30(?)E_i(?)250eV)
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本文研究了在碳氟化合物气体中SiO_2和Si的磁控管等离子体腐蚀。这种等离子体具有很高的离化程度,无碰撞密度,低能离子流量(在1W/cm~2的情况下I～1.0mA/cm~2,30(?)E_i(?)250eV)和可控的腐蚀均匀性。大部分等离子体维持一个电场,电场可被整形以对腐蚀表面完成标准的离子轰击。研究证明该腐蚀方法具有良好各向异性,SiO_2/Si的选择性较高,腐蚀速率比常规的反应离子腐蚀高六倍。
In this paper, the magnetron plasma etching of SiO_2 and Si in fluorocarbon gases is studied. This plasma has a high degree of ionization, no collision density, low energy ion flux (I ~ 1.0mA / cm ~ 2,30 (?) E_i (? 250eV at 1W / cm ~ 2) Control of corrosion uniformity. Most of the plasma maintains an electric field that can be shaped to complete standard ion bombardment of the etched surface. The results show that the etching method has good anisotropy, high selectivity to SiO 2 / Si, and corrosion rate six times higher than that of conventional reactive ion etching.
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