【摘 要】
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为了提高SIMOX SOI材料抗总剂量辐照的能力,采用硅注入绝缘埋层后退火得到改性的SIMOX SOI材料.辐照前后,用pseudo-MOSFET方法测试样品的ID-VG特性曲线.结果表明,合适的硅离
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海20
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为了提高SIMOX SOI材料抗总剂量辐照的能力,采用硅注入绝缘埋层后退火得到改性的SIMOX SOI材料.辐照前后,用pseudo-MOSFET方法测试样品的ID-VG特性曲线.结果表明,合适的硅离子注入工艺能有效提高材料抗总剂量辐照的能力.
In order to improve the capability of SIMOX SOI to resist the total dose irradiation, a modified SIMOX SOI material was annealed by implanting silicon into insulating buried layer.The ID-VG characteristic curves of samples were tested by pseudo-MOSFET method before and after irradiation.The results show that, The appropriate silicon ion implantation process can effectively improve the material against total dose irradiation ability.
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