【摘 要】
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为了适应VLSI技术的发展,需要进一步提高光刻技术分辨率,使用X射线光刻技术可以实现分辨率为0.1μm.金刚石膜具有优异的机械性能、光学性能、热学性能,成为X射线光刻掩模基膜
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为了适应VLSI技术的发展,需要进一步提高光刻技术分辨率,使用X射线光刻技术可以实现分辨率为0.1μm.金刚石膜具有优异的机械性能、光学性能、热学性能,成为X射线光刻掩模基膜的理想候选材料.该文采用微波等离子体化学气相沉积方法最有希望获得具有平整表面,最小张应力和高的光学透过率的金刚石薄膜.为了进一步提高成核密度,降低金刚石膜的表面粗糙度.该论文采用研磨结合超声法来提高成核密度,着重研究了金刚石粉粒度,重量和超声时间与成核密度的关系.结果表明用适量41μm金刚石粉超声处理硅基片30分钟为较适合的预处理方法.该文研究了金刚石薄膜性能与微波等离子化学气相沉积参数如微波功率、气体压力,甲烷浓度的关系,采用了AFM测量金刚石膜表面粗糙度,Raman和XRD法测量了金刚石膜应力.XPS,Raman分析了金刚石膜质量.制备的金刚石膜已用X射线掩模版制作,开窗孔径8mm,金刚石膜完好,光学透过率可作肉眼校准,波长为几十纳米的X射线的透过率超过60﹪.
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