透明导电氧化物作为一种重要的光电子信息材料,在薄膜太阳能电池、传感器、平板液晶显示器和红外反射器等领域得到了广泛的应用。在这类材料中,氧化锌(ZnO)是一种宽禁带(3.3eV)的n型半导体材料,易产生缺陷和进行杂质掺杂。相对于铟锡金属氧化物(ITO)和氟掺杂SnO2(FTo)而言,具有原材料资源丰富、价格低廉,沉积温度相对较低和在氢等离子体环境中稳定性好等优点,是一种希望的TCO材料。人们已经采用多种薄膜生长技术来制备ZnO基透明导电薄膜,其中磁控溅射因沉积系统相对简单、易操作,成膜质量好,可实现大面积镀膜,有利于工业化生产。　　 在磁控溅射ZnO中,正负离子对衬底的轰击直接影响到薄膜的质量。CIGS太阳电池工艺中,需要在CdS薄膜上溅射ZnO薄膜,离子的轰击还会损伤CdS层,更需要注意。因此,开展磁控溅射中正负离子对薄膜生长影响的研究非常有意义。　　 论文首先研究了负离子在溅射过程中对ZnO:A1薄膜光电特性的影响。研究发现,溅射中的负离子会对薄膜产生轰击,从而导致薄膜光电特性变差。其物理机制是优先再溅射会致使薄膜缺Zn,导致氧/金属比增加。接着研究了正离子在溅射过程中对薄膜轰击的影响,观察到正离子以较高的能量轰击薄膜时同样会对薄膜造成损害。　　 最后研究了CIGS电池中的ZnO绒面陷光的作用。