CMOS MEMS是传感器发展的一大趋势，利用CMOS标准流程+MEMS后处理工艺制造的微型传感器能够实现低成本、高性能、高度一致性和大规模生产。硅片键合技术，尤其是低温键合技术在CMOS MEMS加工中有着重要地位。硅片键合技术往往与其他手段结合使用，既可对微结构进行支撑和保护，又可实现机械结构或者电路之间的电学连接，将表面微机械加工和体微机械加工有机地结合在一起。　　 本论文在简要介绍了CMOS MEMS技术和键合技术后，设计了一套基于Au-In共晶的低温键合方案。通过实验摸索得到了厚胶AZ4620光刻，溅射法制备铟膜的最佳工艺参数。完成了铟凸点阵列的制备后，进行了Au-In倒装键合实验，测试了不同条件下的剪切强度。　　 首先，对铟凸点的制备工艺流程进行设计，采用剥离法和溅射法制备铟凸点阵列。为了得到较大深宽比的凸点模具，研究了厚胶AZ4620光刻工艺过程，详细讨论了影响光刻质量的工艺参数：前烘时间、曝光时间、显影时间等。通过实验确定了AZ4620光刻最佳工艺参数。　　 其次，介绍了溅射方法实现UBM层（Under Bump Metallurgy凸点下合金层）和铟膜制备工艺。在讨论UBM的功能与结构后，选定了一个简单且功能完善的UBM序列。对磁控溅射的原理、设备特征以及靶材规格做了简单介绍。通过实验确定了制备In膜的溅射功率、气压以及沉积速率。　　 最后在SEC850型倒装焊机上进行了Au-In倒装键合实验，讨论了影响Au-In共晶键合的工艺条件，测试了不同压力和温度下的剪切强度，并对结果进行了讨论。在300℃，0.3MPa压力下键合剪切强度达到了19.8N（5MPa）。