以PMN为代表的，具有复合钙钛矿结构的弛豫铁电陶瓷有优异的介电和铁电性能，已被用于新型多层陶瓷电容器(MLCC)，电致伸缩以及薄膜存储器等方面。但在服役过程中人们发现材料的性能会随时间变化。当今，电子线路逐步高度集成，材料的这种性能退化严重影响了电子线路的稳定性和可靠性。因此，对性能退化机理，抑制性能退化的方法等问题的研究就显得尤为重要。　　 为完成本项目工作，我们设计、搭建了一套外场(电场、温场)作用下介电性能测试系统；选择了(1-x) PMN-xPT作为研究对象，并对其进行了适当的离子掺杂改性；研究了不同组份及掺杂对材料性能及微观结构的影响，并对材料在电场作用下的一些现象和响应进行了研究和机理的探讨。在La+Zn共掺杂的0.9PMN-0.1PT陶瓷材料的介电温度和频率谱上观测到一个异常的“shoulder”，对此介电异常现象从离子替换和诱导产生了多相(铁电、反铁电相)结构无规分布的角度进行了解释；观测到了强电场和温度场耦合作用的历史效应在PMNT陶瓷材料中引发了类似在PLZT等一些薄膜材料中出现的imprint(印刻)现象。　　 宏观介电性能在外场作用下的变化规律对应着一些外场作用下微结构的变化，探索这两者之间的关系是本文的重点和难点，这一问题的研究也直接影响到能否对实际应用中的器件性能变化及老化等问题从实质上给予解释。对于陶瓷材料，开展外场作用下原位性能及微结构动态演变的研究在仪器设备以及研究方法设计方面都有较大的难度。对比了TEM等测试结果后，我们选用了Raman光谱来进行微结构表征。Raman光谱可以无损的进行材料研究，且对材料微结构的细微变化很敏感。我们研究了组份及共掺杂对Raman光谱的影响，对Raman谱图所反映的结构信息进行了详细的分析。为从微观结构变化方面得到直接的证据来解释宏观介电等性能在外场下的变化和响应，我们设计开展了外场作用下原位Raman光谱的研究，测试了不同组份及掺杂的样品Raman光谱随外电场变化的关系，并开展了外场作用下Raman光谱随时间变化关系的研究(国际上尚无此研究报导)，其结果可用来对应解释电场作用下介电性能随时间的变化规律。　　 在实验的基础上，我们提出了采用La和Zn共掺杂的方法能在改善此类MLCC介质瓷温度稳定性的同时更显著的提高此种介质材料介电性能在电场下的稳定性。对于这种共掺杂引起的介电异常和提高介电常数的温度及电场稳定性的机理，我们从Raman光谱的有关测试结果进行了良好的解释。