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近年来,以石墨烯为代表的二维(2D)层状材料因其独特的性质引起了广泛关注。这类材料单层具有1纳米(nm)以下的厚度,展现出优异的物理性质和器件应用前景,成为电子、光电子器件应用中最具有吸引力的材料。和其它材料相比,它们具有较高的载流子迁移率、高导电性、良好的光学透明度以及优异的机械性能等。但是由于石墨烯的零带隙特性,使其在电子、光电子器件的应用方面受到了极大的限制。类石墨烯二维纳米半导体材料尤其是过渡金属硫化物(TMDs)成为学者们研究的热点,其中二硫化钼(MoS_2)由于其带隙可控、超高的比表面积